在半导体湿法工业生产中,刻蚀、清洗、电镀等核心工序的药液浓度稳定性,直接决定晶圆良率、生产成本及生产效率,是工业制程管控的核心环节。KURABO仓纺 ChemicAlyzer Pro-2(KIS)浓度计,依托成熟近红外检测技术与严苛品控标准,精准适配工业级在线监测需求,成为半导体湿法工业产线的核心检测设备,为各类湿法工艺提供可靠的浓度管控支撑。
一、品牌底蕴:30余年技术深耕,铸就精密标杆
KURABO仓纺创立于1888年,总部位于日本大阪,是全球知名多元化精密制造企业。自1990年进军红外液体浓度检测领域,聚焦半导体等精密制造场景,依托30余年光学技术积淀与严苛品控,推出多系列设备,全球累计销量超3000台,获行业头部企业认可。公司通过ISO9001与ISO14001认证,ChemicAlyzer系列融合自研近红外分光技术、智能算法与耐腐蚀设计,代表其在该领域的先进水平,为先进制程提供可靠支撑。
二、产品核心参数
ChemicAlyzer Pro-2(KIS)是一体型在线近红外液体浓度计,专为半导体20~30°C(无冷凝)洁净室设计,采用近红外透射光谱法。针对每种被测药液选择专属波长,通过测量光线穿过液体后的吸光度变化,结合内置校准曲线,**计算出液体浓度。核心规格如下:
产品类型:近红外在线浓度计(适配半导体湿法工序)
测量原理:近红外透射法,搭载专用光学滤镜,支持多波长同步检测
测量对象:半导体湿法工序常用药液(H₂O₂、HCl、H₂SO₄、TMAH、BOE等)
测量精度:±0.1%(TMAH等关键药液),支持微量浓度波动捕捉
响应时间:≤20s,实时反馈浓度数据,无延迟
接液材质:石英(常规药液)、蓝宝石(强腐蚀药液)
安装方式:壁挂式/机架式,适配洁净车间安装
电源要求:AC 220V ±10%,50/60Hz,功率≤30W
环境适配:温度10-30℃,湿度≤80%RH,无冷凝,适配洁净车间等级
信号输出:4-20mA 模拟信号,支持PLC联动与数据上传
三、KURABO 仓纺 ChemicAlyzer Pro-2(KIS)关键性能与结构优势
1、高精度与高稳定性:为每种药液优化专属测量波长,单机独立校准,机间误差极小。高分辨率可捕捉微量浓度波动,适合苛刻工艺的精密控制,设计寿命长。
2、一体化紧凑设计:测量与数据处理单元集成,尺寸W201×D340×H198mm,重约 11kg,节省空间。操作简便,接口集中于前面板,维护方便。
3、低维护成本:光学测量无需试剂,无易损件,大幅减少日常维护与耗材支出。实时数据输出,支持上下限报警与远程监控,助力工艺自动化。
4、多工况适配,通用性强:可测量半导体全湿法工序常用药液,提供石英池、蓝宝石池两种选择,适配HF等特殊药液。支持标准信号输出,可无缝对接PLC与MES系统,实现数据实时传输与远程监控,适配性优于同级。
四、在半导体湿法制程中的典型应用场景
1、晶圆清洗制程(RCA 清洗):RCA 清洗是半导体晶圆清洗的核心工艺,包含 SPM(H₂SO₄/H₂O₂)、SC-1(NH₄OH/H₂O₂)、SC-2(HCl/H₂O₂)等关键步骤,药液浓度直接决定清洗效果。ChemicAlyzer Pro-2 可实时监测各清洗槽药液浓度,确保清洗工艺稳定性,减少晶圆表面颗粒与金属污染,提升良率。
2、光刻胶剥离制程:光刻胶剥离液(如 SPM、有机剥离液)浓度直接影响剥离效率与晶圆表面粗糙度,浓度过低导致剥离不净,过高则可能腐蚀晶圆底层薄膜。该浓度计可连续监测剥离液浓度,精准控制剥离速率,避免过剥离或剥离不全,适配 12 英寸晶圆量产线高吞吐量需求。
3、蚀刻制程(湿法刻蚀):湿法蚀刻(如 BOE 缓冲氧化物刻蚀、金属蚀刻)中,蚀刻液(HF、NH₄F、H₃PO₄等)浓度直接决定刻蚀速率与均匀性,尤其浅沟槽隔离(STI)、金属栅极刻蚀等关键工序,对浓度精度要求极高。ChemicAlyzer Pro-2 可实时监测蚀刻液组分浓度,精准控制刻蚀速率,保障晶圆片内与片间刻蚀均匀性,减少刻蚀缺陷。
4、显影制程(TMAH 显影液):TMAH(四甲基氢氧化铵)显影液浓度直接影响光刻图形分辨率与线宽均匀性,该浓度计通过专属近红外波长与高精度校准曲线,实现 TMAH 浓度精准监测,实时反馈浓度变化,联动温控与加药系统,确保显影工艺稳定性,提升光刻图形良率。
总结:在半导体先进制程向更小节点、更高良率迈进的趋势下,湿法制程的化学品浓度控制已成为良率提升的核心抓手。KURABO 仓纺 ChemicAlyzer Pro-2(KIS)浓度计,以近红外非接触测量、高精度、全防腐洁净适配、长期稳定四大核心优势,**解决传统监测方案的痛点,为半导体湿法清洗、蚀刻、显影等关键工艺提供实时、可靠的浓度数据支撑,助力芯片制造企业实现精密工艺控制、降低生产成本、提升产品竞争力。
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